IBM y Samsung Electronics anunciaron un avance en el diseño de semiconductores utilizando una nueva arquitectura de transistor vertical que demuestra una ruta para escalar más allá del nanosheet y tiene el potencial de reducir el uso de energía en un 85%, en comparación con los transistores de efecto de campo de aleta (finFET, por su nombre en inglés). La escasez mundial de semiconductores ha destacado el papel fundamental de la inversión en investigación y desarrollo de chips y su importancia en todo, desde la informática, los electrodomésticos, los dispositivos de comunicación, los sistemas de transporte y hasta la infraestructura crítica.

La innovación en semiconductores de las dos compañías se llevó a cabo desde el Albany Nanotech Complex, en Nueva York, EE.UU., donde los investigadores trabajan en estrecha colaboración con socios del sector público y privado para ampliar los límites del escalado lógico y las capacidades de los semiconductores. Este enfoque colaborativo de la innovación convierte al Albany Nanotech Complex en un ecosistema líder a nivel mundial para la investigación de semiconductores y crea una sólida línea de innovación, lo que ayuda a abordar las demandas de fabricación y a acelerar el crecimiento de la industria global de chips.

El nuevo avance del transistor vertical podría ayudar a la industria de los semiconductores a continuar su incesante camino para ofrecer mejoras significativas, que incluyen:
· Arquitectura potencial del dispositivo que permite la escalabilidad del semiconductor para avanzar más allá del nanosheet.
· Baterías de teléfonos móviles que podrían durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días.
· Los procesos intensivos en energía, como las operaciones de criptominería y el cifrado de datos, podrían requerir una cantidad significativamente menor de energía y tener una huella de carbono inferior.
· Expansión continua de Internet de las Cosas (IoT) y dispositivos edge con menores necesidades de energía, lo que les permite operar en entornos más diversos como boyas oceánicas, vehículos autónomos y naves espaciales.

“El anuncio de tecnología de hoy trata sobre desafiar las convenciones y repensar cómo seguimos haciendo avanzar a la sociedad y brindamos nuevas innovaciones que mejoren la vida, los negocios y reduzcan nuestro impacto ambiental. Dadas las limitaciones que enfrenta actualmente la industria en múltiples frentes, IBM y Samsung están demostrando su compromiso con la innovación conjunta en el diseño de semiconductores y una búsqueda compartida de lo que llamamos ‘hard tech”, dijo el Dr. Mukesh Khare, vice president, Hybrid Cloud & Systems, IBM Research.

El legado de IBM en avances en semiconductores también incluye la primera implementación de tecnologías de proceso de 7 nm y 5 nm, tecnología de puerta metálica High-k, transistores de canal SiGe, DRAM de celda única, las leyes de Escala de Dennard, fotorresistencias amplificadas químicamente, cableado de interconexión de cobre, tecnología de silicio sobre aislante, microprocesadores multinúcleo, DRAM integrado y apilado de chips 3D.